特許
J-GLOBAL ID：200903082114916520
洗浄処理方法および洗浄処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-260618
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034872
出願日： 2007年10月04日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：
【課題】 薬剤を効率的に基板表面に供給することでその消費量を抑制することができる洗浄処理方法および装置、ならびに基板の表面に発生する洗浄痕(ウォーターマーク)を低減することが可能な洗浄処理方法を提供すること。【解決手段】 外側チャンバと内側チャンバからなる処理チャンバ内に保持された半導体ウエハWの洗浄処理における薬剤を用いた乾燥処理を、半導体ウエハWを停止または低速回転させた状態において、薬剤を吐出するノズルに薬剤を供給する薬剤供給管77に薬剤(IPA)を滞留させた後に薬剤供給管77に高温のガスを供給することにより、薬剤を蒸気状として蒸気状の薬剤を基板に供給する工程と、薬剤の供給を停止した後に前記基板を前記低速回転よりも高い回転速度で高速回転させることにより前記基板に付着した薬剤を振り切る工程とを有する。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
処理容器内に保持された基板の洗浄処理方法であって、
前記基板を停止または低速回転させた状態において、蒸気状の薬剤を前記基板に供給する第1工程と、
前記薬剤の供給を停止した後に前記基板を前記低速回転よりも高い回転速度で高速回転させることにより前記基板に付着した薬剤を振り切る第2工程と、
を有し、
前記第1工程では、薬剤を吐出するノズルまたは前記ノズルに薬剤を供給する薬剤供給管に前記薬剤を滞留させた後に前記薬剤供給管に高温のガスを供給することにより、前記薬剤を蒸気状として基板に供給することを特徴とする洗浄処理方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/304 651E
, H01L21/304 651H
, H01L21/304 651L
5F157AB02
, 5F157AB03
, 5F157AB13
, 5F157AB34
, 5F157AB91
, 5F157AC03
, 5F157BD02
, 5F157CB11
, 5F157CB13
, 5F157CB14
, 5F157CB15
, 5F157CE21
, 5F157CF28
, 5F157CF32
, 5F157DB41
