特許
J-GLOBAL ID：200903082114992471

半導体装置の製造方法

発明者：
田中 知哉

田中 知哉 について

, 
岸田 剛信

岸田 剛信 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-315122
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124485
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路の微細化に伴うコンタクトホールやヴィアホールのアスペクト比の上昇により、その底部を良好にクリーニングする事が困難であり、抵抗上昇、配線信頼性の低下の課題がある。【解決手段】 アルゴンプラズマ処理によるコンタクトホール底部7の酸化物除去の際、半導体基板に印加されるセルフバイアス電圧の絶対値を100V以上にすることで、アルゴンイオンのウエハ方向の直進性が増大するため、コンタクトホール底部7の酸化物を効率よくかつ良好に除去することができ、安定した接触抵抗、安定した配線信頼性を実現できる。
請求項（抜粋）：
処理室内で、半導体基板上に形成された凹部底面のコンタクト領域または拡散層領域に対しアルゴンプラズマ処理を行うことにより、前記コンタクト領域または拡散層領域の表面に存在する絶縁膜を除去する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記アルゴンプラズマ処理は、高周波電力を印加してアルゴンプラズマを励起し、前記半導体基板に印加されるセルフバイアス電圧の絶対値を100V以上にして行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/28 A ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 C
Fターム (66件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB24 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD19 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD38 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE15 ,  4M104FF14 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F004BB11 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA23 ,  5F004EA31 ,  5F004EB01 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP17 ,  5F033PP22 ,  5F033PP23 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR15 ,  5F033WW05 ,  5F033WW08 ,  5F033XX04 ,  5F033XX07 ,  5F033XX09
引用特許：
審査官引用 (3件)

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