特許

J-GLOBAL ID：200903082129177260

窒化ガリウム系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法

発明者： 木原 倫夫 ,  古屋 貴士
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-367399
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185718
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 電子移動度に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供するものである。【解決手段】 気相成長法により、基板2上に窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させてエピタキシャルウェハ1を形成した後、該エピタキシャルウェハ1に熱処理を施すものである。

請求項（抜粋）：

気相成長法により、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させてエピタキシャルウェハを形成した後、該エピタキシャルウェハに熱処理を施すことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 C ,  H01L 29/80 H

Fターム (32件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077FE03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA62 ,  5F045GB12 ,  5F045HA16 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板、半導体素子及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-075295   出願人：松下電子工業株式会社
• 高移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057070   出願人：古河電気工業株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-357046   出願人：日亜化学工業株式会社