特許

J-GLOBAL ID：200903082154713850

半導体装置の製造方法

発明者： 大音 光市 ,  宇佐美 達矢 ,  岸本 光司 ,  小柳 賢一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245235
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077406
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置において層間絶縁膜を形成する際に、比誘電率の低い、安定な膜質の多層の層間絶縁膜を形成することが可能な方法を提供する。【解決手段】 Hを含まない無機のSi系ガスとN2を用いた高密度プラズマCVDによりSiN膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法とする。より具体的には、Fを含む層間絶縁膜6を成膜する工程と、その下地及び上地の一方又は両方に、Hを含まない無機のSi系ガスとN2を用いた高密度プラズマCVDによりSiN膜5を成膜する工程とを有し、かつ前記各工程を同一成膜室内で行う方法とする。

請求項（抜粋）：

Hを含まない無機のSi系ガスとN2を用いた高密度プラズマCVDによりSiN膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C

Fターム (14件)：

5F058AD06 ,  5F058AD11 ,  5F058AD12 ,  5F058BA20 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• CVD法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-182127   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 誘電体膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-031960   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭57-152132