特許

J-GLOBAL ID：200903082172933590

半導体レーザ

発明者： 佐々木 善浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-098903
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294876
出願日： 1999年04月06日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 量子井戸への光閉じ込めを低下させ且つコンタクト層での吸収ロスを低減させて、特性の向上と高出力とを実現することが可能な半導体レーザを提供する。【解決手段】 活性層103上にクラッド層104,107が形成された屈折率導波構造を有し、クラッド層107上にコンタクト層108が形成されている。コンタクト層108の開口の幅x2 [μm]は活性層103の幅x1 [μm]以上である。クラッド層の厚さをt[μm]として、(x2 -x1 )≦√(36-4t2 )が成り立つ。コンタクト層108の開口は活性層103の直上の領域を含む領域に形成されており、コンタクト層108の開口の幅を規定する端縁と活性層103の端縁との距離が3μm以下である。活性層103は歪多重量子井戸構造を有するものである。

請求項（抜粋）：

活性層上にクラッド層が形成された屈折率導波構造を有し、前記クラッド層上に該クラッド層よりもバンドギャップの小さいコンタクト層が形成されている半導体レーザであって、前記コンタクト層は前記活性層に対応する領域に開口を有することを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01S 3/18 664 ,  H01S 3/18 677

Fターム (10件)：

5F073AA23 ,  5F073AA73 ,  5F073AA89 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-181589   出願人：沖電気工業株式会社
• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-165145   出願人：富士通株式会社