特許

J-GLOBAL ID：200903082176667682

半導体ウェーハの製造方法

発明者： 曲 偉峰 ,  木村 雅規
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-358783
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164520
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 比較的単純な積層構造にもかかわらず、電子の移動度を高めるのに十分な格子歪みを有し、かつ、結晶欠陥の少ないSi層を有する半導体ウェーハを簡便な製造プロセスにより製造することのできる半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 第1のシリコン単結晶ウェーハの表面にSiGe層をエピタキシャル成長する工程と、該SiGe層の表面と第2のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第2のウェーハと結合された該第1のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するSi層を露出させる工程と、を有するようにした。

請求項（抜粋）：

第1のシリコン単結晶ウェーハの表面にSiGe層をエピタキシャル成長する工程と、該SiGe層の表面と第2のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第2のウェーハと結合された該第1のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するSi層を露出させる工程と、を有することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体基板の製造方法およびこれにより製造された半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-357158   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-338876   出願人：株式会社東芝
• 疑似基板構造体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-246426   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体材料薄膜の製造のための改良型スマート・カット・プロセス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-237751   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Oxidation studies of SiGe"