特許
J-GLOBAL ID：200903082189618567
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-048322
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249512
出願日： 2002年02月25日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 放熱体を備える半導体装置の生産性を向上させることにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)複数の放熱体32が一体化してなる集合体30を、型40の凹部42にセットし、(b)複数の半導体チップ20が平面的に並べて搭載されてなる基板10を、複数の半導体チップ20を凹部42内に配置するように型40にセットし、(c)凹部42に封止材を充填することで、複数の半導体チップ20を封止するとともに、集合体30を取り付けることを含む。
請求項（抜粋）：
(a)複数の放熱体が一体化してなる集合体を、型の凹部にセットし、(b)複数の半導体チップが平面的に並べて搭載されてなる基板を、前記複数の半導体チップを前記凹部内に配置するように前記型にセットし、(c)前記凹部に封止材を充填することで、前記複数の半導体チップを封止するとともに、前記集合体を取り付けることを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/56 T
, H01L 23/36 A
5F036AA01
, 5F036BA04
, 5F036BA26
, 5F036BB01
, 5F036BB05
, 5F036BC01
, 5F036BC33
, 5F036BE01
, 5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA21
, 5F061CB13
, 5F061FA05
