特許

J-GLOBAL ID：200903082226421353

半導体装置

発明者： 緒方 広樹
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083262
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277697
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】SOG膜のスクライブ線領域への流失を容易にて、コンタクト孔の側面でのSOG膜の露出の回避しやすい構造を提供する。【解決手段】チップコーナー近傍における共通放電線141aの内側縁端部を層間絶縁膜121の第2の外側縁端部と層間絶縁膜131の第3の外側縁端部との間に設けて、この部分での共通放電線141aの上面を他の部分における共通放電線141aの上面より低くする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面には第1の外側縁端部を有して矩形の半導体素子形成領域と該半導体素子領域を取り囲むスクライブ線領域とか設けられ、第2の外側縁端部を有して該スクライブ線領域の表面を所要の幅で覆う下層層間絶縁膜により該半導体素子形成領域の表面が覆われ、該下層層間絶縁膜の表面上には第1の金属材料からなる第1の上層金属配線が設けられ、SOG膜を含んでなる上層層間層間絶縁膜により該第1の上層金属配線を含んで該下層層間絶縁膜の表面が覆われ、さらに、該上層層間層間絶縁膜の表面上には第2の金属材料からなる第2の上層金属配線が設けられた半導体装置において、前記スクライブ線領域の表面に直接に接続した第3の外側縁端部と、少なくとも前記第1の外側縁端部に沿った部分において前記下層層間絶縁膜の上面に直接に接続する内側縁端部とを有し、該下層層間絶縁膜を介して前記半導体素子形成領域の周囲を取り囲む姿態を有して、前記第1の金属材料から形成された外周配線が設けられ、少なくとも前記半導体素子形成領域のコーナー部近傍を含だ第1の領域を覆う前記下層層間絶縁膜の上面上に設けられた部分での前記外周配線の上面の高さが、該第1の領域から離れた該半導体素子形成領域の前記第1の外側縁端部の近傍を含だ第2の領域を覆う該下層層間絶縁膜の上面上に設けられた部分での該外周配線の上面の高さより、低いことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 27/04 A ,  H01L 21/88 A ,  H01L 27/08 102 F

Fターム (29件)：

5F033HH28 ,  5F033JJ28 ,  5F033KK01 ,  5F033MM18 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR13 ,  5F033XX13 ,  5F033XX14 ,  5F038AV06 ,  5F038BE07 ,  5F038BH09 ,  5F038BH13 ,  5F038CA13 ,  5F038CD08 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AC03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048CC19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-109966   出願人：ヤマハ株式会社
• 半導体装置、および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-234385   出願人：日本電気株式会社