特許
J-GLOBAL ID：200903082241160051
酸化物イオン伝導体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
千葉 剛宏
, 宮寺 利幸
, 佐藤 辰彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-037386
公開番号（公開出願番号）：特開2004-244282
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】例えば、結晶の配向方向が概ね一致しており、このために酸化物イオン伝導度に異方性を有する酸化物イオン伝導体およびその製造方法を提供する。【解決手段】例えば、La2O3粉末とSiO2粉末とを混合した後、熱処理を施す。この熱処理により、複合酸化物であるLaXSi6O1.5X+12(8≦X≦10)の多孔質体が生成する。次いで、この多孔質体を粉砕して粉体とした後、該粉体を溶媒に添加してスラリーとする。このスラリーを、磁場の存在下で固化させて成形体とした後、該成形体を焼結することにより酸化物イオン伝導体が得られるに至る。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
結晶内に酸化物イオンが移動する伝導面または伝導方向が存在することによって酸化物イオン伝導度が発現する酸化物イオン伝導体であって、
酸化物イオン伝導度に異方性を有することを特徴とする酸化物イオン伝導体。
IPC (4件)：
C04B35/495
, H01B1/06
, H01M8/02
, H01M8/12
C04B35/00 J
, H01B1/06 A
, H01M8/02 K
, H01M8/12
4G030AA13
, 4G030AA34
, 4G030AA37
, 4G030BA03
, 4G030CA01
, 4G030GA08
, 4G030GA20
, 4G030GA27
, 5G301CA02
, 5G301CD01
, 5G301CE02
, 5H026AA06
, 5H026BB00
, 5H026BB01
, 5H026BB08
, 5H026CX05
, 5H026EE13
, 5H026HH05
, 5H026HH08
