特許
J-GLOBAL ID：200903082246206700

化合物半導体発光素子

発明者：
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351713
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186600
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 発光をもたらす素子動作電流を有効に発光領域の略全面に拡散させて発光面積を拡張し、また発光層の品質を良好に保持することで、発光出力を充分に発揮させることができるようにする。【解決手段】 この発明は、p形不純物を添加したp形半導体層3上に透光性薄膜電極4を介してp形台座電極3を設けた化合物半導体発光素子10において、p形半導体層3の内部に、所定範囲の温度で注入熱処理を施すことでp形半導体層3よりも高抵抗に形成した高抵抗イオン注入領域6を設け、その高抵抗イオン注入領域6の上方にp形台座電極5を設けた、ことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
p形不純物を添加したp形半導体層上に透光性薄膜電極を介してp形台座電極を設けた化合物半導体発光素子において、上記p形半導体層の内部に、所定範囲の温度で注入熱処理を施すことでp形半導体層よりも高抵抗に形成した高抵抗イオン注入領域を設け、その高抵抗イオン注入領域の上方に上記p形台座電極を設けた、ことを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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