3族窒化物半導体発光素子およびその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212675
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045962
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】高密度の光出力と高い信頼性を備えた3族窒化物半導体発光素子を提供すること。【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2が形成され、その上に順に、膜厚約2.5 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコン(Si)ドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約0.5 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N から成る高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.1 μmの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成る活性層5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度5 ×1017/cm3のマグネシウムドープの(Alx3Ga1-x3)y3In1-y3N から成るp層6、膜厚約0.2 μm, ホール濃度5 ×1017/cm3のマグネシウムドープのGaN から成るp層7が形成されている。さらにp層の一部に形成された高抵抗領域8、そして、p層7に接続する金属電極9と高キャリア濃度n+ 層4に接続する金属電極11とが形成されている。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn型伝導性を示すn層と、p型伝導性を示すp層を有する発光素子において、前記p層の一部に形成された高抵抗領域を有することを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-223330
半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-204027 出願人：シャープ株式会社
特開平4-068579

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