特許
J-GLOBAL ID:200903082264161209
直下型バックライトの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-091639
公開番号(公開出願番号):特開2001-282118
出願日: 2000年03月29日
公開日(公表日): 2001年10月12日
要約:
【要約】【課題】 組立ての自動化が容易で品質の安定した大量生産が可能な直下型バックライトの製造方法を得る。【解決手段】少なくともバックライトの光源である発光素子を搭載した回路基板と、直下型バックライトを構成するホルダーを一体化する直下型バックライトの製造方法において、1枚の母材基板に複数個の回路基板を形成する工程と、複数の回路基板にホルダー下面に形成されたピンに対応する孔を穿つ工程と、複数の回路基板にそれぞれ発光素子と電子部品を搭載する工程と、前記複数の回路基板位置に対応してホルダーを整列する工程と、複数の回路基板に形成された孔にそれぞれホルダー下面に形成されたピンを挿入する工程と、挿入されたピンを回路基板にかしめる工程と、母材基板を個々の基板にブレークする工程を有することを特徴とする直下型バックライトの製造方法とする。
請求項(抜粋):
少なくともバックライトの光源である発光素子を搭載した回路基板と、直下型バックライトを構成するホルダーを一体化する直下型バックライトの製造方法において、1枚の母材基板に複数個の回路基板を形成する工程と、複数の回路基板にホルダー下面に形成されたピンに対応する孔を穿つ工程と、複数の回路基板にそれぞれ発光素子と電子部品を搭載する工程と、前記複数の回路基板位置に対応してホルダーを整列する工程と、複数の回路基板に形成された孔にそれぞれホルダー下面に形成されたピンを挿入する工程と、挿入されたピンを回路基板にかしめる工程と、母材基板を個々の基板にブレークする工程を有することを特徴とする直下型バックライトの製造方法。
IPC (3件):
G09F 9/00 336
, G02F 1/13357
, H01L 33/00
FI (3件):
G09F 9/00 336 G
, H01L 33/00 L
, G02F 1/1335 530
Fターム (21件):
2H091FA32Z
, 2H091FA45Z
, 2H091FA50Z
, 2H091FD12
, 2H091FD13
, 2H091GA11
, 2H091LA12
, 5F041AA38
, 5F041DA20
, 5F041DA76
, 5F041DA83
, 5F041DA92
, 5F041EE25
, 5F041FF11
, 5G435AA17
, 5G435AA18
, 5G435BB04
, 5G435CC12
, 5G435EE26
, 5G435KK07
, 5G435LL07
引用特許:
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