特許

J-GLOBAL ID：200903082275037976

半導体装置

発明者： 森 克己
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-224688
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037166
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 ヒューズを含み、歩留まりが良好な半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、レーザ光照射により溶断されるヒューズ20を複数個含むヒューズ部110を含む。ヒューズ20は、第1の絶縁層36上に形成され、かつ、所定のピッチで配列している。ヒューズ20の側面および上面は、第2の絶縁層19で覆われている。

請求項（抜粋）：

第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に所定のピッチで配列された複数のヒューズであって、レーザ光照射により溶断されるヒューズと、前記ヒューズの側面および上面を覆うように形成された第2の絶縁層と、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/10 491

FI (4件)：

H01L 27/10 491 ,  H01L 21/82 F ,  H01L 21/82 R ,  H01L 21/88 S

Fターム (34件)：

5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033VV11 ,  5F033VV16 ,  5F064BB12 ,  5F064BB21 ,  5F064EE33 ,  5F064EE34 ,  5F064EE36 ,  5F064FF02 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF32 ,  5F064FF33 ,  5F064FF42 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083NA08 ,  5F083ZA10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-249225   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• フューズ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-073482   出願人：株式会社東芝
• 特開昭61-046047