フューズ回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073482
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268699
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】本発明は、レーザ切断型リダンダンシィ回路におけるフューズ回路において、カット時にフューズ電極の溶融蒸発にともなって発生する気化エネルギーの、隣接するフューズ電極への影響を減少できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、各フューズ電極13a,13b,13c,13dの相互間の、層間絶縁膜14にそれぞれ開孔部15を設ける。この開孔部15によって、レーザ光線16の照射によりフューズ電極13bを切断しようとする際の、フューズ電極13bの溶融蒸発にともなって発生する気化エネルギー19の一部を、隣接するフューズ電極13a,13cとは異なる方向へ逃がすことが可能な構成となっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の一部に、第1の絶縁膜を介して、互いに平行に設けられた複数のフューズ電極と、各フューズ電極の相互間に、それぞれ、第2の絶縁膜を介して設けられた緩衝用機構部とを具備したことを特徴とするフューズ回路。

IPC (3件)：

H01H 85/046 , H01H 69/02 , H01L 21/82

FI (3件)：

H01H 85/00 T , H01H 69/02 , H01L 21/82 F

Fターム (11件)：

5F064BB14 , 5F064FF02 , 5F064FF27 , 5F064FF34 , 5F064FF42 , 5F064GG03 , 5G502AA01 , 5G502AA13 , 5G502AA20 , 5G502BB13 , 5G502EE04

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子の冗長回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-174304 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-306707 出願人：ミツミ電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-124450 出願人：株式会社東芝

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