特許
J-GLOBAL ID:200903082306163193

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 篠田 實
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-345411
公開番号(公開出願番号):特開平6-168948
出願日: 1992年11月30日
公開日(公表日): 1994年06月14日
要約:
【要約】【目的】 フェイスダウン方式の半導体装置において基板と半導体素子との平行度を出しやすくする。【構成】 半導体素子1に形成される接続用突起2を半導体素子1の中心Aに対して対称に配置した。【効果】 フェイスダウン方式の半導体装置における接続不良をなくして歩留まりを向上することができる。
請求項(抜粋):
接続用突起を形成した半導体素子を対応した配線部を有する基板上に接着材料を介在させて配置し、位置合わせして加圧すると共に、上記接着材料を硬化させて基板に半導体素子を実装する構造の半導体装置において、上記接続用突起が半導体素子の中心に対して対称に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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