特許

J-GLOBAL ID：200903082313983007

シリコン系発光材料の製造方法

発明者： 都鳥 顕司 ,  早瀬 修二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-235785
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083075
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 気相中においてシリコンナノ結晶の粒径分布を制御することができ、発光素子の材料として好適なシリコン系発光材料を製造し得る方法を提供する。【解決手段】 シリコンナノ結晶を含有するシリコン酸化膜に、酸素含有雰囲気中で波長500nm以下の所定波長のレーザー光を照射し、レーザー光を吸収する大きさのシリコンナノ結晶の表面を酸化してその粒径を5nm以下に小さくする。

請求項（抜粋）：

シリコンナノ結晶を含有するシリコン酸化膜に、酸素含有雰囲気中で波長500nm以下の所定波長のレーザー光を照射し、レーザー光を吸収する大きさのシリコンナノ結晶の表面を酸化してその粒径を制御することを特徴とするシリコン系発光材料の製造方法。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/31 C ,  H01L 33/00 A