特許

J-GLOBAL ID：200903082320396745

強誘電体薄膜キャパシタ

発明者： 伊東 豊二
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-099140
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293581
出願日： 1995年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】下電極の耐酸化性が強く、しかも下電極中に強誘電体の結晶化工程時に発生するボイドを抑制することができる強誘電体薄膜キャパシタを提供する。【構成】下電極8と、この下電極8上に結晶化された強誘電体薄膜9と、この強誘電体薄膜9上に形成された上電極10とを備え、下電極8を白金を主成分とし白金族の他の金属元素を含む白金合金薄膜としたものである。

請求項（抜粋）：

下電極と、この下電極上に結晶化された強誘電体薄膜と、この強誘電体薄膜上に形成された上電極とを備え、前記下電極が白金を主成分とし白金族の他の金属元素を含む白金合金薄膜であることを特徴とする強誘電体薄膜キャパシタ。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 27/04 E ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (3件)

• キャパシタ、電極構造及び半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-136788   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 強誘電体コンデンサ及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-099773   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
• 特開平4-349657