成膜装置、プラズマCVD装置、成膜方法及びスパッタ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河野登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-081907
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359203
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】形成する膜の物性を容易に制御でき、また、生産性良く膜の形成が可能な制御性の良い成膜装置を提供する。【解決手段】膜を形成すべき基板5をアノード電極3に載置し、反応室1中に原料ガスを供給し、前記アノード電極3と、該アノード電極3に対向して配置してあるカソード電極4との間に高周波電圧を印加して原料ガスのプラズマを発生させ、制御部9を用いて駆動部8を制御することによって、成膜中にカソード電極4をアノード電極3に接近又は離隔させる。

請求項（抜粋）：

反応室内に、膜を形成すべき基板を配置する第1電極と、該第1電極の前記基板を配置すべき部分に対向して配置してある第2電極と、前記反応室内にガスを供給する手段とを備える成膜装置において、前記基板を配置すべき部分と第2電極との間の距離を可変制御する構成としてあることを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 14/34 , C23C 16/44 , H01L 21/203

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 14/34 D , C23C 14/34 U , C23C 16/44 G , H01L 21/203 S

Fターム (51件)：

4K029AA04 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA02 , 4K029BA08 , 4K029BA18 , 4K029BA35 , 4K029BA45 , 4K029BA47 , 4K029BA50 , 4K029CA05 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029DD06 , 4K029EA00 , 4K030AA01 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA09 , 4K030BA29 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030CA17 , 4K030FA03 , 4K030GA03 , 4K030JA03 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 5F045AA08 , 5F045AB01 , 5F045AC01 , 5F045AD06 , 5F045AE19 , 5F045AF07 , 5F045BB04 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F045DP22 , 5F045EE12 , 5F045EH14 , 5F103AA08 , 5F103BB36 , 5F103BB56 , 5F103DD16 , 5F103DD30 , 5F103LL13 , 5F103NN05 , 5F103RR05 , 5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-003927
特開平1-108382
スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-353070 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る