光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：高田守 , 葛野信一 , 高橋英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-364244
公開番号（公開出願番号）：特開2004-088049
出願日： 2002年12月16日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】設計の自由度の高い低反射率の被覆膜を備えた光半導体装置を構成する。【解決手段】この発明に係る光半導体装置は、等価屈折率ncを有する半導体レーザ12の一方の端面に、屈折率がn1で膜厚がd1である第1層コーティング膜16と屈折率がn2で膜厚がd2の第2層コーティング膜18とを有する低反射コーティング膜14が配設され、この低反射コーティング膜14は第2層コーティング膜18の表面上の自由空間の屈折率をn0としたときに、半導体レーザの所定のレーザ光の波長λ0に対して、この波長λ0、屈折率n1、n2、膜厚d1、d2により規定される振幅反射率の実部及び虚部がゼロとなるとともにn1,n2のいずれか一方のみがncとn0との積の平方根より小さくなるようにされたものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光を入射または出射する端面を有し、等価屈折率ncを有する光半導体素子と、この光半導体素子の端面上に配設され、屈折率がn1で係数a0を正の実数としたときに、膜厚がa0×d1である第1の被覆膜とこの第1の被覆膜上に配設された屈折率がn2で膜厚がa0×d2の第2の被覆膜とを有する被覆膜層と、を備え、上記被覆膜層の表面上の自由空間の屈折率をn0としたときに、上記光半導体素子を伝播する光の波長λ0に対して、この波長λ0、上記屈折率n1、n2、上記膜厚a0×d1、a0×d2により規定される振幅反射率の実部及び虚部がゼロとなるとともに上記n1,n2のいずれか一方のみが上記ncとn0との積の平方根より小さいことを特徴とした光半導体装置。

IPC (1件)：

H01S5/028

FI (1件)：

H01S5/028

Fターム (15件)：

5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA47 , 5F073AA67 , 5F073AA73 , 5F073AA83 , 5F073AB27 , 5F073AB28 , 5F073BA02 , 5F073BA03 , 5F073BA08 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB20 , 5F073EA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

多層反射防止膜および光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-132535 出願人：神谷武志, 李正根, 古河電気工業株式会社
半導体レーザモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-012903 出願人：古河電気工業株式会社
特開昭62-238679

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引用文献：

審査官引用 (1件)

波動光学, 19710202, p.207-218

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