特許
J-GLOBAL ID:200903082328250073
薄膜電子部品用基板とそれを用いた薄膜電子部品の製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
岡田 賢治
, 今下 勝博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-220205
公開番号(公開出願番号):特開2007-031242
出願日: 2005年07月29日
公開日(公表日): 2007年02月08日
要約:
【課題】本発明の目的は、数nm〜数μmの膜厚の薄膜を成膜する高精度の薄膜デバイス製造技術を適用しうる、高精度の平滑性を有するセラミックス多結晶基板やガラスセラミックス基板及び該基板の上に受動素子を形成した薄膜電子部品の製造方法を提供することである。【解決手段】 本発明に係る薄膜電子部品用基板の製造方法は、セラミックス多結晶体若しくはガラスセラミックス体に第1原料液の塗布により第1塗布層を形成し、第1塗布層の加熱により金属酸化物薄膜層を形成する工程と、前記金属酸化物薄膜層の表面上に第1原料液よりも相対的に粘度が高い第2原料液の塗布により第2塗布層を形成し、第2塗布層の加熱により金属酸化物薄膜層を形成する工程とを含み、前記金属酸化物薄膜層を積層して0.1μm以上20μm以下の膜厚の金属酸化物薄膜からなるコーティング層を形成する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
板状のセラミックス多結晶体若しくはガラスセラミックス体の少なくとも片面に、加熱により金属酸化物となる原料を含む第1原料液の塗布により第1塗布層を形成し、該第1塗布層の加熱により金属酸化物薄膜層を形成する工程と、
前記金属酸化物薄膜層の表面上に、加熱により金属酸化物となる原料を含み、前記第1原料液よりも相対的に粘度が高い第2原料液の塗布により第2塗布層を形成し、該第2塗布層の加熱により金属酸化物薄膜層を形成する工程とを含み、
前記金属酸化物薄膜層を積層して0.1μm以上20μm以下の膜厚の金属酸化物薄膜からなるコーティング層を形成することを特徴とする薄膜電子部品用基板の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
C04B41/87 B
, H01G4/06 102
Fターム (4件):
5E082AB03
, 5E082BC38
, 5E082EE05
, 5E082FG03
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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