特許
J-GLOBAL ID：200903082349405816

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
白川 政信

白川 政信 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-307692
公開番号（公開出願番号）：特開2008-123330
出願日： 2006年11月14日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】寿命と信頼性改善を図った不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、電気的書き換え可能でかつ、nビット/セル(n≧2)の多値記憶を行うメモリチップと、前記メモリチップの読み出し及び書き込み制御を行うメモリコントローラとを備え、前記メモリチップは、後天的不良数が所定しきい値を超えたときに、nビット/セルからmビット/セル(m<n)へ動作モード切り換えが行われる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
電気的書き換え可能でかつ、nビット/セル(n≧2)の多値記憶を行うメモリチップと、 前記メモリチップの読み出し及び書き込み制御を行うメモリコントローラとを備え、 前記メモリチップは、後天的不良数が所定しきい値を超えたときに、nビット/セルからmビット/セル(m<n)へ動作モード切り換えが行われる ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G06F 12/16 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04
FI (5件)：
G06F12/16 310A ,  G11C17/00 601E ,  G11C17/00 601Q ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 622E
Fターム (20件)：
5B018GA04 ,  5B018HA21 ,  5B018HA35 ,  5B018NA06 ,  5B018PA03 ,  5B018QA11 ,  5B125BA01 ,  5B125BA19 ,  5B125CA27 ,  5B125CA28 ,  5B125DD01 ,  5B125DD04 ,  5B125DE08 ,  5B125DE13 ,  5B125DE14 ,  5B125EA05 ,  5B125EA10 ,  5B125EK08 ,  5B125FA01 ,  5B125FA04
引用特許：
出願人引用 (3件)

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