特許
J-GLOBAL ID:200903082391283755
Ag系薄膜とAg系薄膜成膜用スパッタリングターゲット
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-032906
公開番号(公開出願番号):特開2002-235169
出願日: 2001年02月08日
公開日(公表日): 2002年08月23日
要約:
【要約】【課題】 FPD等における電極、配線、反射膜、反射電極等の形成に有用で、膜密着性、耐久性に優れるとともに、低抵抗で高い反射率を有するAg系薄膜と、そのAg系薄膜を成膜するための、製造が容易なスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 Agを主成分とし、導電性酸化物を含有する薄膜であって、低電気抵抗であるAg系薄膜とする。
請求項(抜粋):
Agを主成分とし、導電性酸化物を含有する低電気抵抗性薄膜であることを特徴とするAg系薄膜。
IPC (3件):
C23C 14/34
, C22C 32/00
, H01L 21/203
FI (3件):
C23C 14/34 A
, C22C 32/00 A
, H01L 21/203 S
Fターム (11件):
4K029AA09
, 4K029BA04
, 4K029BD09
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 5F103AA08
, 5F103BB22
, 5F103DD28
, 5F103LL13
, 5F103PP11
引用特許:
審査官引用 (6件)
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特開昭52-004092
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銀系の薄膜構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-244849
出願人:鐘淵化学工業株式会社
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反射体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-037773
出願人:三井東圧化学株式会社
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