半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068076
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269542
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】小型・薄型で、かつな高速駆動可能なSi基板上のフォトカプラを実現する。【解決手段】Si基板上10に発光素子と受光素子をモノリシックに形成した半導体装置において、Si基板10の表面層にp型不純物拡散層11及びn型不純物核酸層12を隣接形成して設けられたpin構造の受光素子と、基板の受光素子領域上に設けられた透明なSiO2 絶縁膜13と、この絶縁膜13上に設けられた、直接遷移型のGaAs微結晶をp型AlGaAs層とn型AlGaAs層で挟んだ発光素子とを備えた。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面層に設けられた受光素子と、前記基板上に設けられた透明若しくは半透明の絶縁膜と、化合物半導体微結晶を用いて構成され前記絶縁膜上に設けられた発光素子とを具備してなり、前記発光素子からの光を前記絶縁膜を通して前記受光素子で検出することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/12 , H01L 31/10 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 31/12 B , H01L 33/00 B , H01L 33/00 C , H01L 31/10 A

Fターム (34件)：

5F041AA02 , 5F041AA47 , 5F041CA03 , 5F041CA04 , 5F041CA21 , 5F041CA22 , 5F041CA24 , 5F041CA25 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA36 , 5F041CA65 , 5F041CB01 , 5F041CB32 , 5F041EE23 , 5F049MA02 , 5F049MA04 , 5F049MA15 , 5F049NA03 , 5F049NA18 , 5F049NA19 , 5F049PA04 , 5F049PA10 , 5F049QA11 , 5F049QA16 , 5F049RA07 , 5F049SS03 , 5F049SZ16 , 5F089AB03 , 5F089AB08 , 5F089AC02 , 5F089BB02 , 5F089BB08 , 5F089BC05

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-173483
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-029703 出願人：新日本無線株式会社
特開平4-323879

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