特許
J-GLOBAL ID：200903082408481831
アモルファスシリコン薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234705
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094421
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 比較的大形の絶縁材製基板にアモルファスシリコン薄膜を均一な膜厚で形成する方法を提供することを目的としている。【構成】 絶縁材製基板上にプラズマCVD法によりアモルファスシリコン薄膜を形成する方法において、プラズマ生成の為の高周波放電を間欠的に行い、かつ夫々の放電期間の放電時間を、高周波印加電極側に生ずる直流バイアス電圧が飽和する時間より短い時間に制限する。
請求項（抜粋）：
絶縁材製基板上にプラズマCVD法によりアモルファスシリコン薄膜を形成する方法において、プラズマ生成の為の高周波放電を間欠的に行い、かつ夫々の放電期間の放電時間を、高周波印加電極側に生ずる直流バイアス電圧が飽和する時間より短い時間に制限することを特徴とするアモルファスシリコン薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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