特許

J-GLOBAL ID：200903082408481831

アモルファスシリコン薄膜の製造方法

発明者： 児玉 晃 ,  渡部 嘉 ,  上田 仁
出願人/特許権者： 日電アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234705
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094421
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 比較的大形の絶縁材製基板にアモルファスシリコン薄膜を均一な膜厚で形成する方法を提供することを目的としている。【構成】 絶縁材製基板上にプラズマCVD法によりアモルファスシリコン薄膜を形成する方法において、プラズマ生成の為の高周波放電を間欠的に行い、かつ夫々の放電期間の放電時間を、高周波印加電極側に生ずる直流バイアス電圧が飽和する時間より短い時間に制限する。

請求項（抜粋）：

絶縁材製基板上にプラズマCVD法によりアモルファスシリコン薄膜を形成する方法において、プラズマ生成の為の高周波放電を間欠的に行い、かつ夫々の放電期間の放電時間を、高周波印加電極側に生ずる直流バイアス電圧が飽和する時間より短い時間に制限することを特徴とするアモルファスシリコン薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• アモルファスシリコンの成膜方法、及び、薄膜トラ ンジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-181470   出願人：日本電気株式会社
• 薄膜トランジスタ用の膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-019195   出願人：日新電機株式会社
• 薄膜トランジスタ用の膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-019196   出願人：日新電機株式会社
• 特開昭63-042115