特許
J-GLOBAL ID：200903082412495413
磁気記録ヘッド・サスペンション・アセンブリ及びその製造方法並びに磁気記憶システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-162288
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079112
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造プロセスを用いて単一構造として製造した低ノイズ、低質量の磁気記録ヘッド・サスペンション(19)を提供すること。【解決手段】 半導体製造プロセスを使用してシリコン・ウェーハ(Si)上に完全に、磁気記録ヘッドと共に、あるいは磁気記録ヘッド無しで製造した低ノイズ磁気ヘッド・サスペンションを設けることにより上記問題を解決する。本発明によれば、サスペンションは半導体製造プロセスを用いて単一構造としてシリコン・ウェーハから分離させ、そのヘッド・サスペンションの寸法を出すのに研磨や切削は使用しない。ヘッド(33)とサスペンション(31)が単一構造として製造されるので、ヘッドをサスペンションに取り付けるプロセスは不要である。サスペンションは、ノイズの低減のために導電性トレース(210,212,214,216)の複数の交差部分(206等)を有する集積導電回路を有する。サスペンションはシリコン(Si)あるいはAl2O3のような低質量材料から作ることができる。
請求項（抜粋）：
磁気記憶システム用の磁気記録ヘッド・サスペンション・アセンブリにおいて、P-シリコン・ウェーハと、上記P-シリコン・ウェーハ上に設けたN+シリコン層であって、該N+シリコン層とP-シリコン・ウェーハは加熱酸化させて、上記ウェーハのN+層側と反対側に底面酸化珪素層および上記ウェーハの該N+層上に上面酸化珪素層を生成し、かつN+シリコンを上記P-シリコン・ウェーハ内に浸透させるN+シリコン層と、上記N+シリコン層上の上記酸化珪素層上に設けたポリシリコン層であって、ヘッド構造およびサスペンション構造を一体として形成するため、かつホールやリードへの接点を設けるためにパターンを描かれるようなポリシリコン層と、上記ポリシリコン上に設けた1あるいは、それ以上の導電トレース対であって、該導電トレース対は、少なくとも1カ所の直線部分と該直線部分から延伸する少なくとも1カ所の曲がった部分を有する第一導電トレースと、少なくとも1カ所の直線部分と該直線部分から延伸する少なくとも1カ所の曲がった部分を有する第二導電トレースを有し、さらに該第一導電トレースの曲がった部分が該第二導電トレースの曲がった部分と交差し、該第一導電トレースの直線部分が該第二導電トレースの直線部分とほぼ並行となるように、上記ポリシリコン上に設けられるような導電トレース対とを有し、化学エッチング剤により上記底面酸化珪素層を、また選択的エッチングにより上記P-シリコン・ウェーハを除去することにより上記サスペンションを上記ウェーハから分離することを特徴とする、磁気記録ヘッド・サスペンション・アセンブリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11B 5/60 P
, G11B 21/21 C
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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