トラップ層を有する不揮発性メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：土井健二 , 林恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-234463
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079602
出願日： 2002年08月12日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】トラップ層を有するフラッシュメモリにおいて、データ保持特性や、書き込み特性などを改善する。【解決手段】第1及び第2のソース・ドレイン領域と、コントロールゲートと、第1及び第2のソース・ドレイン領域間のチャネル領域とコントロールゲートとの間に設けられた絶縁性のトラップ層とを有するメモリセルを複数有する不揮発性メモリにおいて、トラップ層が、第1のソース・ドレイン領域に近接する領域であって、トラップされる電荷の有無によりデータを記憶する使用ビット領域と、第2のソース・ドレイン領域に近接する領域であって、データ保持状態において電荷がトラップされる不使用ビット領域とを有することを特徴とする。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリにおいて、第1及び第2のソース・ドレイン領域と、コントロールゲートと、前記第1及び第2のソース・ドレイン領域間のチャネル領域と前記コントロールゲートとの間に設けられた絶縁性のトラップ層とを有するメモリセルを複数有し、前記トラップ層が、前記第1のソース・ドレイン領域に近接する領域であって、トラップされる電荷の有無によりデータを記憶する使用ビット領域と、前記第2のソース・ドレイン領域に近接する領域であって、データ保持状態で電荷がトラップされている不使用ビット領域とを有することを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (6件)：

H01L21/8247 , G11C16/02 , G11C16/04 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (7件)：

H01L29/78 371 , G11C17/00 622Z , H01L27/10 434 , G11C17/00 601E , G11C17/00 612C , G11C17/00 601C , G11C17/00 611Z

Fターム (18件)：

5B025AA01 , 5B025AC04 , 5B025AD04 , 5B025AE05 , 5B025AE08 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083ER02 , 5F083ER09 , 5F083ER11 , 5F083ER22 , 5F101BA45 , 5F101BB05 , 5F101BC11 , 5F101BD02 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (4件)

プログラミング・消去・サイクリングが改善されたNROMセル
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-550153 出願人：サイフアン・セミコンダクターズ・リミテツド
改良された消去方法に立脚した一層高いプログラムVTおよび一層高速なプログラム速度
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-570242 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
特許第6493261号

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