特許
J-GLOBAL ID:200903082426655995
薄膜のその場解析方法および装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
石田 敬
, 鶴田 準一
, 西山 雅也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-053755
公開番号(公開出願番号):特開2004-264118
出願日: 2003年02月28日
公開日(公表日): 2004年09月24日
要約:
【課題】反応性環境下で生成するナノオーダーの薄膜を非破壊、リアルタイム、高精度で膜厚および化学構造をその場解析する方法および装置を提供する。【解決手段】パルスレーザ源とレーザ検出器とを内蔵したプローブを、レーザパルスと同期して振動させ、該プローブが該薄膜の表面に最近接した時にのみレーザ光を該薄膜の表面に照射し且つ該薄膜からの反射レーザ光を検出することにより、光干渉による薄膜の膜厚測定と吸光分光分析による薄膜の化学構造解析とを行なう。また、近接場走査プローブ顕微鏡を用い、パルスレーザ源とレーザ検出器とに接続したプローブを、レーザパルスと同期して振動させ、該プローブが該薄膜の表面に最近接した時にのみレーザ光を該薄膜の表面に照射し且つ該薄膜からの反射レーザ光を検出することにより、光干渉による薄膜の膜厚測定と吸光分光分析による薄膜の化学構造解析とを行なう。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
反応性環境下において生成する薄膜をその場解析する方法であって、
パルスレーザ源とレーザ検出器とを内蔵したプローブを、レーザパルスと同期して振動させ、該プローブが該薄膜の表面に最近接した時にのみレーザ光を該薄膜の表面に照射し且つ該薄膜からの反射レーザ光を検出することにより、光干渉による薄膜の膜厚測定と吸光分光分析による薄膜の化学構造解析とを行なうことを特徴とする薄膜のその場解析方法。
IPC (4件):
G01B11/06
, G01N21/33
, G01N21/35
, G01N21/75
FI (4件):
G01B11/06 G
, G01N21/33
, G01N21/35 Z
, G01N21/75 A
Fターム (44件):
2F065AA30
, 2F065AA53
, 2F065BB17
, 2F065CC02
, 2F065CC31
, 2F065DD03
, 2F065DD06
, 2F065FF41
, 2F065FF51
, 2F065GG04
, 2F065GG23
, 2F065GG25
, 2F065JJ01
, 2F065KK02
, 2F065LL02
, 2F065NN08
, 2F065PP24
, 2F065UU07
, 2G054AA04
, 2G054AB10
, 2G054EA04
, 2G054FA16
, 2G054FA28
, 2G054GA01
, 2G054GA02
, 2G054GA03
, 2G054GA04
, 2G054GA05
, 2G054GA08
, 2G054JA04
, 2G059BB10
, 2G059DD12
, 2G059DD15
, 2G059EE02
, 2G059EE12
, 2G059FF01
, 2G059FF03
, 2G059FF06
, 2G059GG01
, 2G059GG08
, 2G059HH01
, 2G059HH03
, 2G059JJ01
, 2G059JJ17
引用特許:
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