特許

J-GLOBAL ID：200903082460342025

非共晶はんだ組成物

発明者： インテランテ、マリオ ,  ファーコック、ムクタ、ジー ,  サブリンスキ、ウィリアム、エドワード
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-537867
公開番号（公開出願番号）：特表2005-538851
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

電子モジュール(20)の回路ボード(120)への接合などの電子部品の第2レベルのはんだ接続に用いる無鉛はんだ階層。SnCuまたはSnAgの非共晶はんだ(60)中の濃度をモジュール側の接続に使用する。この非共晶はんだ(60)は、モジュール側接続に堅固な第2レベル・アセンブリおよび再加工プロセスを提供するのに十分な金属間化合物を含有している。この非共晶組成物(60)は、アセンブルの際にモジュール側のフィレット中に金属間化合物相構造をもたらす。この金属間化合物相構造は、第2レベルのアセンブルの際に傾斜および倒壊の問題をなくし、また、より粘着性のある接合を実現し、ボード(120)からのコラム(100)の除去を、モジュール(20)から同時に除去することなしに可能にすることによって、再加工に役立つ。

請求項（抜粋）：

90.0%乃至99.0%のSnと、 10.0%乃至1.0%のCuとから本質的に構成され、 280°Cを超える融解温度の金属間化合物を有する非共晶はんだ組成物。

IPC (4件)：

B23K35/26 ,  B23K1/00 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34

FI (5件)：

B23K35/26 310A ,  B23K1/00 310C ,  C22C13/00 ,  H05K3/34 507C ,  H05K3/34 512C

Fターム (8件)：

5E319AA03 ,  5E319AB01 ,  5E319AB05 ,  5E319AC01 ,  5E319BB05 ,  5E319CC33 ,  5E319CD26 ,  5E319GG03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電極材料、半導体装置及び実装装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-317808   出願人：株式会社東芝
• はんだボールおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-241610   出願人：日立金属株式会社
• 特開平2-179385