特許
J-GLOBAL ID:200903059532096286
電極材料、半導体装置及び実装装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-317808
公開番号(公開出願番号):特開2002-124533
出願日: 2000年10月18日
公開日(公表日): 2002年04月26日
要約:
【要約】【課題】 はんだ電極の機械的な接続信頼性及び電気的な接続信頼性を向上することができる電極材料、半導体装置並びに実装装置を提供する。【解決手段】 電極材料は、Pbフリーはんだに、このPbフリーはんだの組成元素により生成される金属間化合物粒子を含有させることにより形成されている。PbフリーはんだにはSnベースのSn-Ag等が使用されており、金属間化合物粒子にはAg3Sn等が使用されている。この電極材料は、半導体装置1のはんだ電極16として使用されている。
請求項(抜粋):
Pbフリーはんだに、このPbフリーはんだの組成元素により生成される金属間化合物粒子を含有してなることを特徴とする電極材料。
IPC (3件):
H01L 21/60
, B23K 35/26 310
, H01L 23/14
FI (4件):
B23K 35/26 310 A
, H01L 21/92 603 B
, H01L 21/92 604 E
, H01L 23/14 M
引用特許:
審査官引用 (9件)
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半導体装置及び半田による接合方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-323197
出願人:富士通株式会社
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無鉛はんだ合金
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-172947
出願人:内橋エステック株式会社
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複合半田材料
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-277479
出願人:田中電子工業株式会社
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