特許
J-GLOBAL ID：200903082472342110
半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233734
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046114
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 アバランシ増倍層、電界緩和層、光吸収層を基本とするアバランシフォトダイオードにおいて、高速応答かつ高感度な特性を実現する。【解決手段】 アバランシフォトダイオードにおいて、光吸収層10が低キャリア濃度の空乏化層14と高キャリア濃度の空乏化終端層15とから構成され、空乏化終端層15のキャリア濃度又は電子親和力が段階的又は連続的変化することを特徴とする。これにより、空乏化終端層15内の電子eを空乏化層14へ加速する疑似電界を発生できるので、光吸収層10の実効的な層厚を増加できるため、高速応答かつ高量子効率な特性が実現される。
請求項（抜粋）：
光を吸収して電子-正孔対を発生する光吸収層と、この光吸収層で発生した電子によってアバランシ増倍を起こすアバランシ増倍層とを備えた半導体受光素子において、前記光吸収層は、動作時に空乏化する空乏化層と、この空乏化層の空乏化を終端する空乏化終端層とを備え、この空乏化終端層のキャリア濃度は、前記空乏化層のキャリア濃度よりも高く、かつ当該空乏化終端層内の電子を前記空乏化層へ向けて加速する疑似電界が発生するように分布している、ことを特徴とする半導体受光素子。
Fターム (10件)：
5F049MB07
, 5F049NA01
, 5F049NA03
, 5F049NB01
, 5F049PA14
, 5F049PA20
, 5F049QA02
, 5F049QA16
, 5F049SS04
, 5F049SS07
