特許

J-GLOBAL ID：200903082473081441

スパッタリング装置および誘電体膜の成膜方法

発明者： 谷 典明 ,  中村 久三 ,  鈴木 郁生 ,  鄒 紅▲こう▼ ,  石川 道夫
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-081244
公開番号（公開出願番号）：特開平8-277461
出願日： 1995年04月06日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 スパッタ中にスパッタリング装置内の異常放電やダストの発生が極めて少なく、長時間に亘って安定したプラズマ放電が維持出来る誘電体膜成膜用のスパッタリング装置。【構成】 対向する基板とターゲットの周囲にアース電位の装置部品を備え、セラミックスターゲットを用いて基板上に誘電体膜を得るスパッタリング装置において、前記装置部品の少なくともプラズマが存在する空間側の表面がCVD法、PVD法、スパッタ法、塗布法、または溶射法により厚さ0.1μm〜5000μmのAl2O3、TiO2、SiO2、ZrO2、MgO、B4Cから成る絶縁性セラミックス膜のいずれかで被覆されたスパッタリング装置。

請求項（抜粋）：

対向する基板とターゲットの周囲にアース電位の装置部品を備え、セラミックスターゲットを用いて基板上に誘電体膜を得るスパッタリング装置において、前記装置部品の少なくともプラズマが存在する空間側の表面が絶縁体で覆われていることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (4件)：

C23C 14/00 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 14/00 Z ,  C23C 14/34 T ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-080352
  
• スパッタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-215963   出願人：株式会社東芝
• 誘電体膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-253383   出願人：日本真空技術株式会社
• 特開平4-080352