半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-231154
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083059
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】スポットサイズの大きな光導波路に対し直接突き合わせにより低損失な光結合を可能とし、しかも低コストで歩留まり良く製造し得る半導体レーザを提供すること。【解決手段】電流注入によって発光する等幅のストライプ状の半導体活性層1と、該半導体活性層1を取り囲むように構成されたクラッド層2とを有し、前記クラッド層2の屈折率が半導体活性層1よりも小さい半導体レーザにおいて、活性層1内への光の閉じ込め係数Γを0.002〜0.05程度に設定することにより、レンズやスポットサイズ変換用の光結合デバイスを設けることなく、出射光のスポットサイズを、これと光結合する光導波路に対して低損失で結合するように拡大する。

請求項（抜粋）：