特許

J-GLOBAL ID：200903082503566143

磁気抵抗素子および磁気メモリ

発明者： 北 川 英 二 ,  吉 川 将 寿 ,  大 坊 忠 臣 ,  長 嶺 真 ,  岸 達 也 ,  與 田 博 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-083760
公開番号（公開出願番号）：特開2009-239052
出願日： 2008年03月27日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：

【課題】Pdを含む層を設けた場合でも高いMR比を有する磁気抵抗素子および磁気メモリを提供することを可能にする。【解決手段】膜面に対して垂直方向の磁化を有し、膜面に対して(001)面に配向したfct型の結晶構造を備えかつPdと、Fe、Co、Ni、Mnのうち1つ以上の元素とを含む金属から形成される第1の磁性層11cと、第1の磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、Feと、N、C、O、Y、Beのうち1つ以上の元素と、を含む金属から形成される第2の磁性層11bと、第2の磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、Fe、Co、Niのうち1つ以上の元素を含む金属から形成される第3の磁性層11aと、第3の磁性層上に設けられた非磁性層13と、非磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有する第4の磁性層12と、を備えている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

膜面に対して垂直方向の磁化を有し、膜面に対して(001)面に配向したfct型の結晶構造を備えかつPdと、Fe、Co、Ni、Mnのうち1つ以上の元素とを含む金属から形成される第1の磁性層と、 前記第1の磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、Feと、N、C、O、Y、Beのうち1つ以上の元素と、を含む金属から形成される第2の磁性層と、 前記第2の磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、Fe、Co、Niのうち1つ以上の元素を含む金属から形成される第3の磁性層と、 前記第3の磁性層上に設けられた非磁性層と、 前記非磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有する第4の磁性層と、 を備えていることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/16

FI (5件)：

H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/32 ,  H01F10/16

Fターム (36件)：

4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA25 ,  5F092AA02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BE12 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE25

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-172845   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-172845   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-178615   出願人：株式会社東芝