特許

J-GLOBAL ID：200903082541820770

基板処理方法および基板処理装置

発明者： 丹生谷 貴行 ,  折居 武彦 ,  森 宏幸 ,  矢野 洋 ,  中森 光則
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350035
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151951
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 下地の膜にダメージを与えることなくレジストやポリマー層等を除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】 ウエハWのレジスト膜とポリマー層とスパッタされて付着した金属とを除去する基板処理装置1は、ウエハWを回転可能に保持するロータ5と、ウエハWを保持したロータ5を収容するチャンバー7,8と、レジスト膜および前記ポリマー層の膜質を変化させるとともに前記付着した金属を酸化させる第1の処理液をチャンバー7内に供給する第1の処理液供給機構25と、レジスト膜、前記ポリマー層および前記酸化された金属を溶解するとともにこれらをリフトオフする第2の処理液をチャンバー8内に供給する第2の処理液供給機構35と、チャンバー8内に不活性ガスを供給してチャンバー8内を非酸化雰囲気にするN2ガス供給源55とを具備する。

請求項（抜粋）：

被処理基板のレジスト膜とポリマー層とを除去する基板処理方法であって、第1の処理液を被処理基板に供給して前記レジスト膜および前記ポリマー層の膜質を変化させる工程と、第1の処理液とは異なる第2の処理液を被処理基板に供給して前記レジスト膜および前記ポリマー層を溶解するとともにこれらをリフトオフする工程とを有し、前記第1および第2の処理液は、被処理基板上で各処理液の流れが形成されるように供給されることを特徴とする基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/306 J ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (23件)：

2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096HA27 ,  2H096JA04 ,  2H096LA01 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F043AA40 ,  5F043BB30 ,  5F043CC17 ,  5F043DD18 ,  5F043EE03 ,  5F043EE11 ,  5F043EE23 ,  5F043EE25 ,  5F043EE27 ,  5F043EE35 ,  5F043FF01 ,  5F043GG03 ,  5F043GG10 ,  5F046MA05 ,  5F046MA06 ,  5F046MA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 基板の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-184441   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-234609   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• 特開平2-094911
  
• 特開昭57-186330