特許

J-GLOBAL ID：200903082559633587

フェロックスプレ-ナ薄膜の製造方法及びインダクタ

発明者： 鯉沼 秀臣 ,  川崎 雅司 ,  松本 祐司 ,  大久保 勇男 ,  上之 康一郎
出願人/特許権者： 東京工業大学長 ,  旭化成株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-107899
公開番号（公開出願番号）：特開2002-308695
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
要約：

【要約】【課題】 異相の存在しないフェロックスプレ-ナ薄膜を製造する。【解決手段】 MgAlO4 からなる単結晶基板1上に、CoOからなる金属酸化物薄膜2をレ-ザアブレ-ション法によって成膜した後、その金属酸化物薄膜2上に、Y型マグネトプラムバイト構造を有する化学式Ba2 Co2 Fe12O22で示されるフェロックスプレ-ナ薄膜3を同様の方法によってエピタキシャル成長させる。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上にエピタキシャル成長によって成膜されるフェロックスプレ-ナ薄膜の製造方法において、少なくとも前記フェロックスプレ-ナ薄膜を構成する金属元素を含む金属酸化物薄膜が上面に成膜された前記単結晶基板上に、エピタキシャル成長によってフェロックスプレ-ナ薄膜を成膜することを特徴とするフェロックスプレ-ナ薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/22 ,  H01F 41/04 ,  H01F 41/14 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (4件)：

C30B 29/22 F ,  H01F 41/04 C ,  H01F 41/14 ,  H01L 27/04 L

Fターム (18件)：

4G077AA03 ,  4G077BC06 ,  4G077DA03 ,  4G077EA02 ,  4G077EA07 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  5E049AB01 ,  5E049BA14 ,  5E049EB03 ,  5E049FC10 ,  5E062DD01 ,  5F038AZ04 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 交換結合磁性材料を含む製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293062   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 特開昭52-107598
  

審査官引用 (2件)

• 交換結合磁性材料を含む製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293062   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 特開昭52-107598