特許
J-GLOBAL ID：200903082578365879
ドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116354
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306895
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 順テーパ状のアルミニウム配線を容易に形成するためのドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 アルミニウム配線を順テーパ状にする工程では、エッチングガスとして塩素のみを用いる。塩素によるフォトレジストパターンのエッチングレートを、アルミニウム膜のエッチングレートよりも高くすることによって、フォトレジストパターンが後退することによって露出したアルミニウム膜の表面からもエッチングが下方に向かって異方的に進行する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたアルミニウムを含む導電層と、該導電層上に形成されたフォトレジストパターンとから配線層を形成するためのドライエッチング方法であって、塩素のみからなる第1のエッチングガスを用いて、該第1のエッチングガスによる前記フォトレジストパターンのエッチングレートを、前記第1のエッチングガスによる前記導電層のエッチングレートよりも高くすることにより、配線層を順テーパ状にする配線テーパ化工程を備えた、ドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/3205
H01L 21/302 M
, H01L 21/88 N
5F004AA00
, 5F004BA04
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB18
, 5F004BB21
, 5F004CA01
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DB09
, 5F004DB16
, 5F004DB26
, 5F004DB27
, 5F004EA28
, 5F004EB02
, 5F033GG04
, 5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033MM19
, 5F033QQ13
, 5F033QQ15
, 5F033QQ21
, 5F033QQ34
, 5F033WW03
, 5F033XX02
, 5F033XX34
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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