特許

J-GLOBAL ID：200903082598650782

マルチビットセル及び直径が調節できるコンタクトを具備する相変化記憶素子、その製造方法及びそのプログラム方法

発明者： 鄭 元哲 ,  金 亨俊 ,  李 世昊 ,  朴 哉▲ヒュン▼ ,  鄭 椙旭
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-346152
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184591
出願日： 2006年12月22日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】マルチビットセル及び直径が調節できるコンタクトを具備する相変化記憶素子、その製造方法及びそのプログラム方法を提供する。【解決手段】相変化記憶素子はカルコゲナイド要素を具備する。カルコゲナイド要素は、加熱電流の印加に伴い結晶質状態または非晶質状態に変わる物質を含む。第1コンタクトはカルコゲナイド要素の第1領域に接続され、第1断面領域を有する。第2コンタクトはカルコゲナイド要素の第2領域に接続され、第2断面領域を有する。カルコゲナイド物質の第1プログラム可能領域は前記カルコゲナイド要素の前記第1領域内に限定され、第1プログラム可能領域の状態は第1コンタクトに係る抵抗によりプログラムされる。カルコゲナイド物質の第2プログラム可能領域は前記カルコゲナイド要素の第2領域内に限定され、第2プログラム可能領域の状態は第2コンタクトに係る抵抗によってプログラムされる。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

加熱電流の印加によって結晶質状態または非晶質状態に変わる物質を具備する第1カルコゲナイド情報保存要素と、 前記第1カルコゲナイド情報保存要素の第1領域に接続され、第1断面領域を有する第1コンタクトと、 前記第1カルコゲナイド情報保存要素の第2領域に接続され、第2断面領域を有する第2コンタクトと、 前記第1コンタクトに係る第1抵抗によりプログラムされる状態を有し、前記第1カルコゲナイド情報保存要素の第1領域内に限定される第1プログラム可能領域と、 前記第2コンタクトに係る第2抵抗によりプログラムされる状態を有し、前記第1カルコゲナイド情報保存要素の第2領域内に限定される第2プログラム可能領域と、 を含むことを特徴とする、相変化記憶素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  G11C 13/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A ,  G11C13/00 A

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA15 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083ZA21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第3,271,591号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-354900   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• テーパード・コンタクトを有するマルチビット単一セルメモリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-538209   出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
• 熱電プログラマブル装置のアンチヒューズ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-542479   出願人：エヌエックスピービーヴィ