特許
J-GLOBAL ID：200903073036839816

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
谷崎 弘晃

谷崎 弘晃 について

, 
日高 秀人

日高 秀人 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-354900
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294206
出願日： 2005年12月08日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】データ書込/読出の信頼性が改善された不揮発性半導体記憶装置を実現する。【解決手段】書込電流を供給する書込電流源(4W)から内部データ線(IDL)、ビット線(BL)、ソース線(SL)、基準電位ノード(ND)に至る経路のメモリセル(MC)を除く抵抗値を常時一定とし、かつこの電流経路においてメモリセルと可変電流源の間の抵抗値およびメモリセルから基準電位ノードの間の抵抗値を各々500Ω以内に設定する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
行列状に配列され、各々が電流印加による熱により抵抗値が可変でありかつその抵抗値により情報を記憶する複数の正規メモリセルを備え、前記複数の正規メモリセルは、記憶情報に応じて選択的に設定される第1の抵抗状態および第2の抵抗状態を少なくとも有し、 前記正規メモリセルと整列して少なくとも1行に配列され、かつ各々が少なくとも前記正規メモリセルの第1の抵抗状態に対応する抵抗値と異なる抵抗値を有する記憶素子を含む複数の参照セル、 アドレス信号に従って前記複数の正規セルおよび前記複数の参照セルから、それぞれ正規セルおよび参照セルを選択するセル選択手段、および 前記選択された正規セルおよび参照セルを流れる電流を比較して該選択された正規セルの記憶情報を検出する読出回路を備える、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 13/00 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
G11C13/00 A ,  H01L27/10 448
Fターム (7件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
  • 不揮発性記憶装置および半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-286173   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
  • 薄膜磁性体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-157648   出願人：三菱電機株式会社, 三菱電機エンジニアリング株式会社
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-280556   出願人：シャープ株式会社
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM