特許
J-GLOBAL ID：200903082603277599
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-276634
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125705
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】本発明はチップサイズパッケージ構造を有した半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、半導体装置の製造効率及び信頼性の向上を図ることを課題とする。【解決手段】ベースフィルム17に半導体素子11及びリード18が配設された構成の配線基板12を金型24内に装着し、続いて半導体素子11の配設位置に封止樹脂27を供給して半導体素子11を樹脂封止する樹脂封止工程と、配線基板12に形成されたリード18と電気的に接続するよう突起電極14を形成する突起電極形成工程とを有する半導体装置の製造方法において、半導体素子11を樹脂封止する手段として、圧縮成形法を用いる。
請求項（抜粋）：
少なくとも可撓性基材に半導体素子及びリードが配設された構成の配線基板を金型内に装着し、続いて前記半導体素子の配設位置に封止樹脂を供給して前記半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程と、前記配線基板に形成されたリードと電気的に接続するよう突起電極を形成する突起電極形成工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記半導体素子を樹脂封止する手段として、圧縮成形法を用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/56
, H01L 21/60 311
, H01L 23/12
H01L 21/56 R
, H01L 21/60 311 S
, H01L 23/12 L
