特許

J-GLOBAL ID：200903082636349692

縦型スピントランジスタ及びその製造方法

発明者： 杉 山 直 治 ,  斉 藤 好 昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-058782
公開番号（公開出願番号）：特開2008-226901
出願日： 2007年03月08日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】トランジスタ及びその製造方法に関して、新たな構造のスピントランジスタ及びその製造方法を提案すること。【解決手段】磁性体で形成された層を含んでいる第1のソースドレイン層と;前記第1のソースドレイン層上に形成されており、半導体で形成された層を含んでいる、チャネル層と、前記チャネル層上に形成されており、磁性体で形成された層を含んでいる、第2のソースドレイン層と、を含む突起構造と;前記チャネル層の側面に形成されたゲート絶縁膜と;前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極と;を具備することを特徴とする縦型スピントランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁性体で形成された層を含んでいる第1のソースドレイン層と; 前記第1のソースドレイン層上に形成されており、 半導体で形成された層を含んでいる、 チャネル層と、 前記チャネル層上に形成されており、 磁性体で形成された層を含んでいる、 第2のソースドレイン層と、 を含む突起構造と; 前記チャネル層の側面に形成されたゲート絶縁膜と; 前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極と;を具備することを特徴とする縦型スピントランジスタ。

IPC (9件)：

H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08

FI (16件)：

H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 653D ,  H01L29/78 652T ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 331E

Fターム (79件)：

4M119BB13 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119CC09 ,  4M119DD26 ,  4M119KK06 ,  4M119KK07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA02 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB06 ,  5F048BB11 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048BD10 ,  5F048CB07 ,  5F048DA23 ,  5F092AC24 ,  5F092AD25 ,  5F092BD04 ,  5F092BD07 ,  5F092BD14 ,  5F092BD20 ,  5F092BD23 ,  5F092BE21 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF26 ,  5F110FF30 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110HK05 ,  5F110HM02 ,  5F110HM07 ,  5F110NN74 ,  5F140AA00 ,  5F140AB03 ,  5F140AC16 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BB04 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE06 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF10 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BJ08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-172169   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 集積された半導体デバイスを有するMRAM
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-361340   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド