小電圧信号の注入により、メモリへの早期書込みを行うシステム及び方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-176810
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051189
出願日： 2002年06月18日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】メモリへの書込み操作を隣接ビットライン上のデータを破壊することなく、読出し操作程度の短い時間で実行する。【解決手段】センス増幅器をセットする前に、小電圧差分信号を注入し、その後、センス増幅器をセットすることにより、センス増幅器が小電圧信号を所定のハイ電圧レベル及びロー電圧レベルに増幅し、メモリ・セルへの書込みを行う。センス増幅器をセットする前に、ローカル・ビットスイッチが、小電圧差分を有する第1及び第2の書込み電圧を、真のビットライン及び基準ビットラインに印加する。他のメモリ・セル上のローカル・ビットスイッチは、それらのメモリ・セルに結合される真のビットライン及び基準ビットラインを、それらのビットラインに結合されるセンス増幅器をセットする前に、分離するように適応化される。これにより、選択メモリ・セルが書込まれるときに、書込まれていないメモリ・セルの記憶内容がリフレッシュされる。

請求項（抜粋）：

メモリ・アレイを有するメモリを含むタイプの集積回路であって、前記メモリ・アレイが、真のビットラインに結合されるメモリ・セルと、基準ビットラインとを含み、更に前記真のビットライン及び前記基準ビットラインに結合されるセンス増幅器を含み、前記センス増幅器が、前記真のビットラインと前記基準ビットラインとの間の小電圧差分を、前記メモリ・セルへの及び前記メモリ・セルからの転送のために、所定のハイ電圧及び所定のロー電圧に増幅するように適応化され、前記所定のハイ電圧と前記所定のロー電圧との差分が、前記小電圧差分よりも遙かに大きく、前記集積回路が、書込み操作の間に、前記センス増幅器による増幅以前に、前記小電圧差分を有する選択された第1及び第2の書込み電圧を、それぞれ前記真のビットライン及び前記基準ビットラインに印加するように適応化される第1及び第2のビットスイッチを含み、前記センス増幅器が前記小電圧差分を前記所定のハイ電圧及び前記所定のロー電圧に増幅し、異なる電圧を前記真のビットライン及び前記基準ビットラインの各々に印加し、データを前記メモリ・セルに書込む集積回路。

FI (2件)：

G11C 11/34 353 D , G11C 11/34 353 F

Fターム (17件)：

5M024AA23 , 5M024AA50 , 5M024BB13 , 5M024BB15 , 5M024BB20 , 5M024BB36 , 5M024CC57 , 5M024CC62 , 5M024CC70 , 5M024DD28 , 5M024EE30 , 5M024FF20 , 5M024KK35 , 5M024PP01 , 5M024PP02 , 5M024PP03 , 5M024PP07

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体集積回路およびその制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-271930 出願人：富士通株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-338031 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-177800 出願人：松下電器産業株式会社

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