特許
J-GLOBAL ID：200903082653480670
アバランシ・フォトダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-027302
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223022
出願日： 2004年02月03日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：
【課題】 動作電圧の低電圧化と使用帯域での高量子効率化とを同時に実現可能な超高速アバランシ・フォトダイオードを提供すること。【解決手段】 アバランシ・フォトダイオードの動作状態において、p型光吸収層16はその一部を除いてp型中性(非空乏化光吸収層)を保ち、かつ、低濃度光吸収層15は空乏化(空乏化光吸収層)する様に、各々の光吸収層のドーピング濃度分布が決定されている。また、p型光吸収層16の層厚WANと低濃度光吸収層15の層厚WADとの比は、光吸収層の層厚WA(=WAN+WAD)が一定の条件において、WAD>0.3μmの範囲であって、かつ、光吸収により光吸収層中に発生するキャリアの走行に伴う素子応答の遅延時間を極少値にするように決定されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型電極層と、なだれ増倍層と、電界制御層と、バンドギャップ傾斜層と、層厚WAの光吸収層と、p型電極層とが順次積層された積層体を備えているアバランシ・フォトダイオードであって、
前記光吸収層は、前記p型電極層側に設けられた層厚WANのp型層と前記バンドギャップ傾斜層側に設けられた層厚WADの低濃度層との接合により構成されており、
前記p型層および前記低濃度層の各々のドーピングプロファイルは、素子動作状態において、前記p型層は前記低濃度層との接合界面近傍領域を除いてp型中性状態を維持する一方、前記低濃度層は空乏化するように決定されているとともに、
前記p型層の層厚WANと前記低濃度層の層厚WADとの比が、光吸収により前記光吸収層中に発生するキャリアの走行に伴う素子応答の遅延時間をτtotal、前記p型層に起因する遅延時間をτN2、前記低濃度層に起因する遅延時間をτD1、前記光吸収層の全域を前記低濃度層とした場合の遅延時間をτDとした場合に、前記光吸収層の層厚WA(=WAN+WAD)が一定の条件において、次式を満足するように決定されていることを特徴とするアバランシ・フォトダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F049MA08
, 5F049MB07
, 5F049NA01
, 5F049NA11
, 5F049NA12
, 5F049NA20
, 5F049QA19
, 5F049QA20
