アバランシ・フォトダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：谷義一 , 阿部和夫 , 橋本傳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-186961
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031707
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】動作電圧と暗電流量が低くかつ素子内の電界制御が容易な、長波長帯の超高速アバランシ・フォトダイオードを提供する。【解決手段】半絶縁性基板上に、半絶縁性バッファ層101とn型半導体電極層102と半絶縁性半導体なだれ増倍層103と電界制御層104とp型半導体電界緩衝層105とバンドギャップ傾斜層106とp型半導体光吸収層107とp型半導体拡散バリア層108とp型半導体電極層109とを順次積層し、バンドギャップ傾斜層および電界制御層の各々のドーパント濃度分布を、動作状態におけるp型半導体光吸収層の、バンドギャップ傾斜層との界面近傍以外の領域が電気的中性となるように決定した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上に、半絶縁性バッファ層と、n型半導体電極層と、半絶縁性半導体なだれ増倍層と、電界制御層と、p型半導体電界緩衝層と、バンドギャップ傾斜層と、p型半導体光吸収層と、p型半導体拡散バリア層と、p型半導体電極層とが順次積層された積層構造を有し、前記n型半導体電極層と前記p型半導体電極層の各々に金属電極を備え、前記バンドギャップ傾斜層および前記電界制御層の各々のドーパント濃度分布が、動作状態における前記p型半導体光吸収層の、前記バンドギャップ傾斜層との界面近傍以外の領域が電気的中性となるように決定されていることを特徴とするアバランシ・フォトダイオード。

IPC (1件)：

H01L31/107

FI (1件)：

H01L31/10 B

Fターム (6件)：

5F049MA08 , 5F049MB07 , 5F049NA05 , 5F049NB01 , 5F049QA18 , 5F049QA19

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-013342 出願人：日本電気株式会社
フォトダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-083704 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭64-074767

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