アクティブマトリックスX線撮像アレイ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-532050
公開番号（公開出願番号）：特表平11-504163
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1999年04月06日
要約：

【要約】X線撮影およびX線透視のためのデジタル検出器。この検出器は、従来のX線室バッキートレイ(bucky tray)に容易に適合する大面積の平面パネルを具備する。この検出器は、X線を検出して該X線のエネルギーを電荷に変換する光導電体(即ち、好ましい実施例ではa-Se)の層と、この電荷を読み出すための、非常に大きい領域に集積された回路の形のアクティブマトリックスTFTアレイとを利用する。TFTアレイのために二重ゲート構造が使用され、ここではTFTの高電圧保護を提供するように、画素電極の延長として頂部ゲートが形成される。低い画素電圧、低い漏れ電流および大きな電荷漏れ時間定数でX線エネルギーの吸収を高めるための、集積された画素蓄積キャパシタが提供される。好ましい実施例では、画素電極を、アクティブマトリックス読み出しアレイの隣接したゲートラインまたは別の接地ラインに重ねることによって、集積された画素蓄積キャパシタが作製される。画像電荷捕集効率は、光導電層における電界分布を操作して、画像電荷が画素電極に負荷され且つTFT読み出し装置には付加されないようにすることによって改善される。また、X線曝露を測定するために、画像検出器の中に光タイマーが集積される。

請求項（抜粋）：

アクティブマトリックス撮像装置であって: a)複数の行および列に配置された薄膜トランジスタ(夫々のトランジスタは制御末端および一対の信号末端を有する)のアレイと; b)前記夫々の薄膜トランジスタを覆う誘電体層と; c)複数の制御ライン(その夫々は、前記複数の行のうちの一つに含められた、前記薄膜トランジスタの夫々の制御末端に接続される)を有する操作制御回路手段と; d)複数のデータライン(その夫々は、前記複数の列のうちの一つに含められた、夫々の薄膜トランジスタにおける前記一対の信号末端のうちの第一の末端に接続される)を有する読み出し回路手段と; e)複数の画素電極(その夫々は、前記薄膜トランジスタアレイに含められた夫々の薄膜トランジスタにおける、前記一対の信号末端のうちの第二の末端に接続される)と; f)前記複数の画素電極の夫々に接続された、複数の蓄積キャパシタと; g)前記複数の画素電極および前記誘電体層を覆って重ねられた光導電層(この中では、放射線に対する前記光導電層の曝露に応答して電子/正孔対が発生する)と、 h)前記光導電層を覆って重ねられたバイアス電極と; i)前記バイアス電極と前記複数の画素電極の一つとの間に高電圧差を樹立するための第一の電圧手段であって、該電圧差によって、前記電子/正孔対により発生した電荷が前記複数の画素電極の一つに夫々捕集され、該捕集された電荷は前記放射線曝露の強度に比例するような第一の電圧手段と; j)前記一対の信号末端における前記第一の末端の近傍において、前記電荷を前記画素電極に向けて排斥する電界を樹立するために、前記複数の列のうちの一つに含められた夫々の薄膜トランジスタの前記一対の信号末端における前記第一の末端を覆う手段とを具備した、アクティブマトリックス撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/14 , H01L 31/09 , H04N 5/32

FI (3件)：

H01L 27/14 K , H04N 5/32 , H01L 31/00 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

X線画像検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-201719 出願人：フィリップスエレクトロニクスエヌベー
光検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-240635 出願人：株式会社東芝
固体素子を用いたイメージ・キャプチャ・パネル
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-301802 出願人：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

審査官引用 (3件)

X線画像検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-201719 出願人：フィリップスエレクトロニクスエヌベー
光検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-240635 出願人：株式会社東芝
固体素子を用いたイメージ・キャプチャ・パネル
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-301802 出願人：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

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