特許
J-GLOBAL ID：200903082689656503
ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-160339
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012565
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 高温電子素子、大電力電子素子及び高集積回路に適用されるBが導入された半導体ダイヤモンド層であっても、その電子デバイス間を完全に素子分離することができ、これにより、同一基板上に複数の素子領域を形成する場合に、素子同士の干渉による誤動作の発生を防止することができるダイヤモンド半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド半導体装置は、Bが導入されたp型半導体ダイヤモンド層からなる電子素子領域間に、1×1014乃至1×1021cm-3の原子濃度で窒素を含有する絶縁領域を有するものである。この窒素はイオン注入によりダイヤモンド層に導入することができ、その場合、イオン注入の後に、真空中において800°C以上の温度で1分間以上の熱処理を施し、更に、イオン注入により生成されたダイヤモンド層表面の非ダイヤモンド層を除去することが好ましい。
請求項（抜粋）：
Bが導入されたp型半導体ダイヤモンド層からなる電子素子領域間に、1×1014乃至1×1021cm-3の原子濃度で窒素を含有する絶縁領域を有することを特徴とするダイヤモンド半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/265
, C30B 31/22
, H01L 21/762
, H01L 29/16
H01L 21/265 J
, C30B 31/22
, H01L 21/265 A
, H01L 21/76 D
, H01L 29/16
