特許
J-GLOBAL ID:200903082710917754
シリコンMEMS共振器のための温度補償
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
社本 一夫
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-509524
公開番号(公開出願番号):特表2006-524020
出願日: 2004年03月30日
公開日(公表日): 2006年10月19日
要約:
微小機械的共振器において温度により引き起こされる周波数変化は、補償剛度即ち圧縮/伸張歪みの適用により、能動的又は受動的に緩和される。基板上に共振器部品を形成するために、様々な構成素材が熱膨張係数に従って選択され、利用され得る。温度変化にさらされると、これらの構成素材の相対的な膨張が、補償剛度即ち圧縮/伸張歪みを作り出す。
請求項(抜粋):
所望の共振周波数を有する振動梁と、電極とを備える微小機械的共振器において、温度により引き起こされる周波数変化を補償する方法であって、
前記共振器の実際の動作周波数を決定するステップと、
前記実際の動作周波数と前記所望の共振周波数との関係において、前記梁に補償剛度を適用するステップと、
を備える方法。
IPC (3件):
H03H 3/007
, H03H 9/24
, B81B 3/00
FI (3件):
H03H3/007 M
, H03H9/24 Z
, B81B3/00
引用特許:
前のページに戻る