特許
J-GLOBAL ID:200903070388287075
ゼロTCF薄膜共振子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山川 政樹 (外5名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-529992
公開番号(公開出願番号):特表2001-507885
出願日: 1997年11月13日
公開日(公表日): 2001年06月12日
要約:
【要約】温度変化による共振周波数の変化である周波数温度係数(TCF)がゼロのマイクロメカニカル・センサ用の多材料共振薄膜ビーム。材料の一方はポリシリコンで他方の材料は窒化シリコンまたは酸化シリコンである。それぞれの材料は異なる熱膨張係数を有する。TCFがゼロになるようにさまざまな材料の割合が調整され、特定の幾何形状が決定される。一実施例は、複数のポリシリコン膜の間に窒化シリコン薄膜を挿入した2枚のポリシリコン薄膜からなるマイクロビームである。窒化シリコン膜の厚みはTCFがゼロになるように調整できる。ポリシリコン膜の片方に窒化膜を配置してビームを形成することもできる。同様にデュアルまたは多重ビーム共振子をいくつかの材料で作ることができる。窒化膜はビームの両端を結合して固定するシャンク領域に配置することができる。このようなゼロTCFビームは圧力、温度、歪み、その他のパラメータを測定するマイクロセンサ構造に組み込むことができる。
請求項(抜粋):
第1の材料からなる第1の膜と、 前記第1の膜の上に形成された第2の材料からなる第2の膜と を含む薄膜マイクロビーム。
引用特許:
審査官引用 (5件)
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半導体加速度検出装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-045890
出願人:三菱電機株式会社
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特開平4-192370
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特開平4-304679
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引用文献:
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