特許
J-GLOBAL ID：200903082758935495

半導体装置の製造方法

発明者：
田中 耕治

田中 耕治 について


出願人/特許権者：
広島日本電気株式会社

広島日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-009826
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204004
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】アルミニウムを含む金属膜を用いる配線において、信頼性の高い微細な多層配線の形成を容易にする。【構成】半導体基板の表面に形成された層間絶縁膜の所定の領域にコンタクト孔を形成する工程と、前記層間絶縁膜および前記コンタクト孔を被覆して金属薄膜を成膜する工程と、前記金属薄膜の成膜後、高真空中において前記半導体基板を加熱すると同時に前記半導体基板に超音波振動を印加し、前記コンタクト孔に前記金属薄膜の一部を埋設する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に形成された層間絶縁膜の所定の領域にコンタクト孔を形成する工程と、前記層間絶縁膜および前記コンタクト孔を被覆して金属薄膜を成膜する工程と、前記金属薄膜の成膜後、高真空中において前記半導体基板を加熱すると同時に前記半導体基板に超音波振動を印加して、前記コンタクト孔に前記金属薄膜の一部を埋設する工程と、を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/90 D ,  H01L 21/88 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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