特許
J-GLOBAL ID:200903082759889497
成膜方法及び装置
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 義雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-207163
公開番号(公開出願番号):特開2002-030426
出願日: 2000年07月07日
公開日(公表日): 2002年01月31日
要約:
【要約】【課題】 基板上の下地層を傷めず、下地層との関係で良好な透明導電膜を形成することができる成膜方法及び装置を提供すること。【解決手段】 ハース51の材料ロッド53は、プラズマビームPBからの電流により加熱されて昇華する。この蒸気は、プラズマビームPBによりイオン化され、基板Wの表面に付着して被膜を形成する。成膜の初期段階で、適正量より酸素が欠乏した雰囲気で、基板W上に初期層を形成する。このように酸素が欠乏した状態では、下地の基板Wにプラズマダメージを生じさせることがなく、形成された初期層を低応力の膜とすることができる。その後の段階では、適正量の酸素を含有する雰囲気で、初期層上に本体層を形成する。この場合、酸素が適量であるため、得られた本体層は透明度が高く、かつ、比抵抗が低く、良好な特性を有している。
請求項(抜粋):
成膜室中に配置された材料蒸発源に向けてプラズマビームを供給しつつ前記材料蒸発源から膜材料を蒸発させて、前記成膜室中において前記材料蒸発源に対向して配置される基板の表面に付着させる成膜方法であって、前記基板の表面に適正量よりも酸素が欠乏した雰囲気で初期層を形成する第1工程と、前記初期層上に前記適正量の酸素を含有する雰囲気で本体層を形成する第2工程と、を備える成膜方法。
IPC (2件):
FI (3件):
C23C 14/32 E
, C23C 14/32 B
, C23C 14/54 B
Fターム (8件):
4K029BA50
, 4K029BB02
, 4K029BC09
, 4K029CA04
, 4K029DA05
, 4K029DA06
, 4K029DD06
, 4K029EA03
引用特許: