特許
J-GLOBAL ID：200903082770904295

安定化させた強磁性自由層または強磁性自由層積層構造を有する磁性素子

発明者：
フアイ,イミン

フアイ,イミン について

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ジャオ,チータオ

ジャオ,チータオ について

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チェン,ユージィン,ユージュン

チェン,ユージィン,ユージュン について


出願人/特許権者：
グランディス,インコーポレーテッド

グランディス,インコーポレーテッド について


代理人 (4件)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章 ,  大塩 剛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-532331
公開番号（公開出願番号）：特表2009-509357
出願日： 2006年09月19日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
磁気トンネル接合または磁気抵抗トンネル接合(MJTs)、及びスピンバルブのような磁性多層構造は、強磁性自由層と隣接して形成され、かつ磁気結合して、例えば熱擾乱及び漏洩磁界によって生じる擾乱に対する所望の安定性を実現する磁性バイアス層を有する。低アスペクト比の安定なMTJセルは、例えば磁性バイアス層を使用する高密度MRAMメモリデバイス及び他のデバイスに対するCMOS処理を使用して形成することができる。このような多層構造に対する書き込みは、スピントランスファートルクによる書き込み電流を使用し、書き込み電流を層に直交する方向に流すことにより行なうことができる。各強磁性自由層は2つ以上の層を含むことができ、かつ強磁性自由層積層構造とすることができ、この積層構造は、第1及び第2強磁性層と、そして第1強磁性層と第2強磁性層との間の非磁性スペーサと、を含む。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
基板と; 前記基板上に形成される磁気セルであって、強磁性自由層積層構造と、磁性バイアス層と、強磁性固定層と、絶縁バリア層と、を含む磁気セルと;を備え、: 前記強磁性自由層積層構造は、第1方向と、前記第1方向とほぼ反対の第2方向との間で変更することができる正味の磁化の向きを有し、前記強磁性自由層積層構造は第1及び第2強磁性層と、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間の非磁性スペーサと、を含み; 前記磁性バイアス層は、前記強磁性自由層積層構造と接触し、かつ磁気結合して前記強磁性自由層積層構造の保磁力を大きくし、そして前記第1方向と、前記第1方向とほぼ反対の前記第2方向との間での前記強磁性自由層積層構造の磁化方向の変更を可能にし; 前記強磁性固定層は、固定磁化方向を有し; 前記絶縁バリア層は、前記強磁性自由層積層構造と前記強磁性固定層との間に形成され、前記絶縁バリア層によって、電子が、前記強磁性自由層積層構造と前記強磁性固定層との間に、かつ前記絶縁バリア層にバイアス電圧が印加された状態で前記強磁性自由層積層構造と前記強磁性固定層との間でトンネリングを起こすようになり、 前記強磁性自由層積層構造は前記磁性バイアス層と前記絶縁バリア層との間に配置される、デバイス。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32
FI (4件)：
H01L43/08 B ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/32
Fターム (43件)：
4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5E049BA25 ,  5E049CB01 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB66 ,  5F092BB67 ,  5F092BB68 ,  5F092BB71 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092BC43 ,  5F092BC46 ,  5F092BE06 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27
引用特許：
審査官引用 (2件)

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